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- 高低側柵驅動芯片--PN7106
- 型號：PN7106
- PN7106A/B是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和 IGBT半橋驅動芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓下，可用于驅動 2個N型功率MOSFET或IGBT構成的半橋結構（版本 B），或者其他高低側結構（版 本 A）。該芯片邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或 LSTTL邏輯輸出電平。輸出具有大電流脈沖能力。傳輸延時具有匹配性，以簡化在高頻下的應用。
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產(chǎn)品介紹
高低側柵驅動芯片--PN7106
一 概述
PN7106A/B是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和 IGBT半橋驅動芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓下，可用于驅動 2個N型功率MOSFET或IGBT構成的半橋結構（版本 B），或者其他高低側結構（版 本 A）。該芯片邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或 LSTTL邏輯輸出電平。輸出具有大電流脈沖能力。傳輸延時具有匹配性，以簡化在高頻下的應用。
二 特征
高壓范圍達+600 V
3.3 V 邏輯兼容
抗 dV/dt 能力±50 V/nsec
自舉工作的浮地通道
柵驅動電壓范圍 10V～20V
高低側通道均具有欠壓保護（UVLO）功能
輸出拉灌電流能力 400 mA / 800mA
獨立的邏輯輸出以適應所有的拓撲結構（A 版本）
180ns 固定死區(qū)時間，以進行防穿通保護（B 版本）
抗-5V 瞬態(tài)負 Vs 能力
高低側通道均延時匹配
三 應用領域
中小型功率電機驅動
功率 MOSFET 或 IGBT 驅動
照明鎮(zhèn)流器
半橋功率逆變器
全橋功率逆變器
任何互補型的驅動逆變器（非對稱的半橋，有源 鉗位）（版本 A）
四 封裝
五 應用電路圖
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