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  • SVF7N60T/F/S/K/MJ N 溝道增強(qiáng)型高壓功率 MOS 場效應(yīng) 晶體管采用士蘭微電子的 F-CellTM平面高壓 VDMOS 工藝技術(shù)制 造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo) 通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源，DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器，高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
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產(chǎn)品介紹

MOSFET場效應(yīng)晶體管

型號(hào)：SVF7N60

一、概述

SVF7N60T/F/S/K/MJ  N 溝道增強(qiáng)型高壓功率 MOS 場效應(yīng) 晶體管采用士蘭微電子的 F-CellTM平面高壓 VDMOS 工藝技術(shù)制 造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo) 通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源，DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器，高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。

二、特性                                       

 7A，600V，RDS(on)(典型值)=0.96Ω@VGS=10V

 低柵極電荷量

 低反向傳輸電容

 開關(guān)速度快 

 提升了 dv/dt 能力

三、應(yīng)用領(lǐng)域

 AC-DC 開關(guān)電源

 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器

 高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

四、封裝/訂購信息


五、命名規(guī)則

六、產(chǎn)品規(guī)格分類

七、極限參數(shù)