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推薦產(chǎn)品

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左滾動(dòng)
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  • 型號(hào)：SVF4N60F
  • SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJ N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng) 效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技 術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低 的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開(kāi)關(guān)電源，DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器，高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
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產(chǎn)品介紹

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào)：SVF4N60

一、概述

SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJ  N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng) 效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技 術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低 的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開(kāi)關(guān)電源，DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器，高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。

二、特性                                       

 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V

 低柵極電荷量

 低反向傳輸電容

 開(kāi)關(guān)速度快 

 提升了 dv/dt 能力

三、應(yīng)用領(lǐng)域

 AC-DC 開(kāi)關(guān)電源

 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器

 高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

四、封裝/訂購(gòu)信息


五、命名規(guī)則

六、產(chǎn)品規(guī)格分類(lèi)

七、極限參數(shù)