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推薦產(chǎn)品

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MOSFET場效應(yīng)晶體管-SVF12N60F
左滾動
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右滾動
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  • 型號:SVF12N60F
  • SVF12N60T/F/S N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管 采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn) 的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、 優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源,DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器,高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動。
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產(chǎn)品介紹

MOSFET場效應(yīng)晶體管

型號:SVF12N60

一、概述

SVF12N60T/F/S  N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管 采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn) 的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、 優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源,DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器,高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動。


二、特性                                       

12A,600V,RDS(on)(典型值)=0.60Ω@VGS=10V

低柵極電荷量

低反向傳輸電容

開關(guān)速度快 

提升了 dv/dt 能力


三、應(yīng)用領(lǐng)域

AC-DC 開關(guān)電源

DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器

高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動


四、封裝/訂購信息



五、命名規(guī)則



六、產(chǎn)品規(guī)格分類



七、極限參數(shù)



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