- MOSFET場效應(yīng)晶體管-SVF12N60F
- 型號:SVF12N60F
- SVF12N60T/F/S N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管 采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn) 的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、 優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源,DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器,高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動。
產(chǎn)品介紹
MOSFET場效應(yīng)晶體管
型號:SVF12N60
一、概述
SVF12N60T/F/S N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管 采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn) 的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、 優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源,DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器,高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動。
二、特性
12A,600V,RDS(on)(典型值)=0.60Ω@VGS=10V
低柵極電荷量
低反向傳輸電容
開關(guān)速度快
提升了 dv/dt 能力
三、應(yīng)用領(lǐng)域
AC-DC 開關(guān)電源
DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器
高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動
四、封裝/訂購信息
五、命名規(guī)則
六、產(chǎn)品規(guī)格分類
七、極限參數(shù)