- MOSFET場效應(yīng)晶體管-SVF10N60F
- 型號:SVF10N60F
- SVF10N60T/F/FG/S/K N溝道增強型高壓功率MOS場效應(yīng) 晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制 造。先進的工藝及條狀的原胞設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo) 通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源,DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器,高壓 H 橋 PWM 馬達驅(qū)動。
產(chǎn)品介紹
MOSFET場效應(yīng)晶體管
型號:SVF10N60F
一、概述
SVF10N60T/F/FG/S/K N溝道增強型高壓功率MOS場效應(yīng) 晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制 造。先進的工藝及條狀的原胞設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo) 通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源,DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器,高壓 H 橋 PWM 馬達驅(qū)動。
二、特性
10A,600V,RDS(on)(典型值)=0.75Ω@VGS=10V
低柵極電荷量
低反向傳輸電容
開關(guān)速度快
提升了 dv/dt 能力
三、應(yīng)用領(lǐng)域
AC-DC 開關(guān)電源
DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器
高壓 H 橋 PWM 馬達驅(qū)動
四、封裝/訂購信息
五、命名規(guī)則
六、產(chǎn)品規(guī)格分類
七、極限參數(shù)