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- 高低側(cè)柵驅(qū)動芯片--PN7006
- 型號：PN7006A/B
- PN7006是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率 MOSFET和IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片。其浮地通道能工作在300V的高壓下，可用于驅(qū)動2個N型功率MOSFET或IGBT結(jié)構(gòu)。該芯片邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL邏輯輸出電平。輸出具有大電流脈沖能力。傳輸延時具有匹配性，以簡化在高頻下的應(yīng)用。
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產(chǎn)品介紹
一 概述
PN7006 是一款基于 P 襯底、P 外延的高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 高低側(cè)驅(qū)動芯片。其浮地通道能工作 在 300V 的高壓下，可用于驅(qū)動 2 個 N 型功率 MOSFET 或 IGBT 結(jié)構(gòu)。該芯片邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平。輸出具有大電流脈沖能力。傳輸延時具有匹配性，以簡化在高頻下的應(yīng)用。
二 特征
* 高壓范圍達+300 V
* 3.3 V 邏輯兼容
* 自舉工作的浮地通道
* 柵驅(qū)動電壓范圍 9.0V～20V
* 輸出拉灌電流能力 450 mA / 900mA(Vcc=15V)
* 獨立的邏輯輸出以適應(yīng)所有的拓撲結(jié)構(gòu)
* 抗-6V 瞬態(tài)負 Vs 能力
* 高低側(cè)通道均延時匹配
三 應(yīng)用
* 中小型功率電機驅(qū)動
* 功率 MOSFET 或 IGBT 驅(qū)動
PN7006 是一款基于 P 襯底、P 外延的高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 高低側(cè)驅(qū)動芯片。其浮地通道能工作 在 300V 的高壓下，可用于驅(qū)動 2 個 N 型功率 MOSFET 或 IGBT 結(jié)構(gòu)。該芯片邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平。輸出具有大電流脈沖能力。傳輸延時具有匹配性，以簡化在高頻下的應(yīng)用。
二 特征
* 高壓范圍達+300 V
* 3.3 V 邏輯兼容
* 自舉工作的浮地通道
* 柵驅(qū)動電壓范圍 9.0V～20V
* 輸出拉灌電流能力 450 mA / 900mA(Vcc=15V)
* 獨立的邏輯輸出以適應(yīng)所有的拓撲結(jié)構(gòu)
* 抗-6V 瞬態(tài)負 Vs 能力
* 高低側(cè)通道均延時匹配
三 應(yīng)用
* 中小型功率電機驅(qū)動
* 功率 MOSFET 或 IGBT 驅(qū)動
* 半橋和全橋功率變換系統(tǒng)
四 封裝
五 應(yīng)用電路圖
