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半橋驅(qū)動(dòng)芯片-PN7103
左滾動(dòng)
  • 半橋驅(qū)動(dòng)芯片-PN7103
右滾動(dòng)
  • 半橋驅(qū)動(dòng)芯片-PN7103
  • 型號(hào)：PN7103
  • PN7103是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓下，可用于驅(qū)動(dòng)2個(gè)N型功率MOSFET或IGBT組成的半橋結(jié)構(gòu)。該芯片邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL邏輯輸出電平。輸出具有大電流脈沖能力。傳輸延時(shí)具有匹配性，以簡(jiǎn)化在高頻下的應(yīng)用。
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產(chǎn)品介紹

半橋驅(qū)動(dòng)芯片

型號(hào)：PN7103


一、概述

PN7103是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓下，可用于驅(qū)動(dòng)2個(gè)N型功率MOSFET或IGBT組成的半橋結(jié)構(gòu)。該芯片邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL邏輯輸出電平。輸出具有大電流脈沖能力。傳輸延時(shí)具有匹配性，以簡(jiǎn)化在高頻下的應(yīng)用。


二、特點(diǎn)  

   高壓范圍達(dá)+600V

   3.3 V邏輯兼容

   抗dV/dt能力±50V/nsec

   自舉工作的浮地通道

   柵驅(qū)動(dòng)電壓范圍10V～20V

   低側(cè)欠壓保護(hù)（UVLO）功能

   輸出拉灌電流能力300 mA / 600mA

   獨(dú)立的邏輯輸出以適應(yīng)所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

   抗-5V瞬態(tài)負(fù)Vs能力

   高低側(cè)通道均延時(shí)匹配       

               

三、應(yīng)用

    中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)

    功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)

    半橋功率逆變器

    全橋功率逆變器


四、封裝形式

 

五、應(yīng)用電路